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Eletrónica

Código: VE08     Sigla: ELET

Áreas Científicas
Classificação Área Científica
CNAEF Eletrónica e automação

Ocorrência: 2023/2024 - 2S

Ativa? Sim
Página Web: https://moodle.ips.pt/2122/course/view.php?id=669
Unidade Responsável: Departamento de Engenharia Eletrotécnica
Curso/CE Responsável: Curso Técnico Superior Profissional em Veículos Elétricos

Ciclos de Estudo/Cursos

Sigla Nº de Estudantes Plano de Estudos Anos Curriculares Créditos UCN Créditos ECTS Horas de Contacto Horas Totais
TSPVE 26 Plano de Estudos_2015_16 1 - 6 60 162

Docência - Responsabilidades

Docente Responsabilidade
Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia Responsável

Docência - Horas

Ensino Teórico-Prático: 4,00
Tipo Docente Turmas Horas
Ensino Teórico-Prático Totais 1 4,00
Mário Jorge da Costa Marques 2,00
Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia 2,00

Língua de trabalho

Português

Objetivos

Descrever as características dos semicondutores.
Distinguir semicondutores tipo P e tipo N.
Caracterizar a junção PN.
Efetuar cálculos para a polarização de díodos.
Realizar montagens com díodos e proceder à análise
dos circuitos.
Caracterizar os diferentes tipos de circuitos usados na
retificação.
Descrever os díodos de Zener quanto à sua
constituição, características e aplicações.
Reconhecer a constituição, tipos e simbologia do
transístor bipolar.
Caracterizar o funcionamento do transístor bipolar.
Identificar as montagens fundamentais: EC, BC, CC.
Analisar as curvas características do transístor em EC.
Analisar o amplificador para sinais em EC, BC e CC.
Caracterizar a estrutura e o funcionamento dos vários
tipos de FET
Caracterizar a estrutura e o princípio de
funcionamento do tirístor.
Implementar circuitos com JFET, MOSFET

Resultados de aprendizagem e competências

Após esta UC o aluno fica apto projetar, montar e reparar
circuitos com díodos e transistores.

Modo de trabalho

Presencial

Pré-requisitos (conhecimentos prévios) e co-requisitos (conhecimentos simultâneos)

Eletrotecnia

Programa

1. Díodo de Junção: Conceito de Semicondutor. Semicondutor intrínseco e extrínseco.
Junção PN. Junção PN não polarizada. Junção PN polarizada directamente. Junção PN
polarizada inversamente. Sentdo convencional da tensão e corrente no díodo.
Característca V-I do díodo. Simbologia do díodo. Modelo linear por troços, Modelo
linear por troços simplifcado, Modelo do díodo Ideal. Aplicações do díodo. Resistência
dinâmica do díodo. Díodos especiais.
2. Transístor de Junção Bipolar (BJT): Transístor de junção bipolar (BJT). BJT NPN. BJT
PNP. Simbologia dos transístores NPN e PNP. Sentdo convencional das correntes e
tensões nos BJT. Modos de operação dos transístores: ZAD (Zona Actva Directa), ZS
(Zona de Saturação), ZC (Zona de Corte), ZAI (Zona Actva Inversa). Modelos do BJT
para os diversos modos de operação. Efeito de Early. Curvas característcas do BJT,
Confgurações básicas de montagem do BJT e malhas de polarização. Determinação do
modo de operação. Ponto de funcionamento em repouso (PFR). BJT como comutador.
BJT como amplifcador (E.C). Compensação do efeito de temperatura (Emissor
Comum). Modelo do BJT para sinais pequenos nas médias frequências. Função dos
condensadores de acoplamento e contorno (Emissor Comum). Projecto de malhas de
polarização (Emissor Comum).
3. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET): Transístor Metal Óxido
Semicondutor (MOSFET) canal N. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET)
canal P. Curvas característcas do MOSFET. MOSFET de enriquecimento e de depleção.
Simbologias mais usadas para os FET. Sentdo convencional das correntes e tensões
nos FET. Modos de operação dos transístores de efeito de campo. Modelos do
MOSFET para os diversos modos de operação. Determinação do modo de operação.
Recta de carga estátca. Ponto de Funcionamento em Repouso. Malhas de Polarização.
FET como comutador. Projecto de malhas de polarização. O MOSFET como
amplifcador. Modelo do MOSFET para sinais pequenos nas médias frequências. Breve
referência ao Transístor de Efeito de Campo de Junção (JFET).

Bibliografia Obrigatória

Robert Boylestad / Louis Nashelsky; Dispositivos Electrónicos e Teoria dos Circuitos, Prentice Hall. ISBN: ISBN: 85-216-1195-1
Manuel de Medeiros Silva; Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0840-2
Manuel de Medeiros Silva; Introdução aos circuitos eléctricos e electrónicos, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0696-5
Adel Sedra / Kenneth Smith; Microelectronics Circuits, Oxford Univ Pr on Demand. ISBN: ISBN: 0-19-511690-9

Métodos de ensino e atividades de aprendizagem

Aulas Teórico- Práticas e aulas de Laboratório com simulação
de circuitos e montagem e teste dos circuitos.

Software

Pspice ou Multisim

Palavras Chave

Ciências Tecnológicas > Engenharia > Engenharia electrónica

Tipo de avaliação

Avaliação distribuída sem exame final

Componentes de Avaliação

Designação Peso (%)
Teste 60,00
Trabalho laboratorial 40,00
Total: 100,00

Componentes de Ocupação

Designação Tempo (Horas)
Estudo autónomo 52,00
Frequência das aulas 30,00
Trabalho laboratorial 50,00
Trabalho escrito 30,00
Total: 162,00

Obtenção de frequência

A nota mínima em cada teste é de 8 valores.

O número minímo de relatórios a entregar são 5.

A nota final de trabalhos práticos será a média dos 5 trabalhos.

A componente laboratorial é obrigatória sem a qual o aluno não obterá aprovação na UC, sendo a nota minínima para aprovação 9,5 valores.


Fórmula de cálculo da classificação final

NF = 60% * média dos testes + 40% * média dos trabalhos práticos
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