Saltar para:
This page in english Ajuda Autenticar-se
ESTS
Você está em: Início > REID11
Autenticação




Esqueceu-se da senha?

Mapa das Instalações
Edifício ESTS Bloco A Edifício ESTS Bloco B Edifício ESTS Bloco C Edifício ESTS Bloco D Edifício ESTS Bloco E Edifício ESTS BlocoF

Eletrónica

Código: REID11     Sigla: ELE

Áreas Científicas
Classificação Área Científica
CNAEF Eletrónica e automação

Ocorrência: 2021/2022 - 2S

Ativa? Sim
Página Web: https://moodle.ips.pt/2122/course/view.php?id=572
Unidade Responsável: Departamento de Engenharia Eletrotécnica
Curso/CE Responsável: Curso Técnico Superior Profissional em Redes Elétricas Inteligentes e Domótica

Ciclos de Estudo/Cursos

Sigla Nº de Estudantes Plano de Estudos Anos Curriculares Créditos UCN Créditos ECTS Horas de Contacto Horas Totais
REID 19 Plano de Estudos 2018/19 1 - 6 60 162

Docência - Responsabilidades

Docente Responsabilidade
Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia Responsável

Docência - Horas

Ensino Teórico-Prático: 4,00
Tipo Docente Turmas Horas
Ensino Teórico-Prático Totais 1 4,00
Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia 4,00

Língua de trabalho

Português

Objetivos


  • Descrever as características dos semicondutores.

  • Distinguir semicondutores tipo P e tipo N.

  • Caracterizar a junção PN.

  • Efetuar cálculos para a polarização de díodos.

  • Realizar montagens com díodos e proceder à análise dos circuitos.

  • Caracterizar os diferentes tipos de circuitos usados na retificação.

  • Descrever os díodos de Zener quanto à sua constituição, características e aplicações.

  • Reconhecer a constituição, tipos e simbologia do transístor bipolar.

  • Caracterizar o funcionamento do transístor bipolar.

  • Identificar as montagens fundamentais: EC, BC, CC.

  • Analisar as curvas características do transístor em EC.

  • Analisar o amplificador para sinais em EC, BC e CC.

  • Caracterizar a estrutura e o funcionamento dos vários tipos de FET

  • Caracterizar a estrutura e o princípio de funcionamento do tirístor.

  • Implementar circuitos com JFET, MOSFET

Resultados de aprendizagem e competências

Após esta UC o aluno fica apto projetar, montar e reparar circuitos com díodos e transistores.

Modo de trabalho

Presencial

Pré-requisitos (conhecimentos prévios) e co-requisitos (conhecimentos simultâneos)

Eletrotecnia

Programa

1. Díodo de Junção Conceito de Semicondutor. Semicondutor intrínseco e extrínseco. Junção PN. Junção PN não polarizada. Junção PN polarizada diretamente. Junção PN polarizada inversamente. Sentido convencional da tensão e corrente no díodo. Característica V-I do díodo. Simbologia do díodo. Modelo linear por troços, Modelo linear por troços simplificado, Modelo do díodo Ideal. Aplicações do díodo. Resistência dinâmica do díodo. Díodos especiais. 2. Transístor de Junção Bipolar (BJT) Transístor de junção bipolar (BJT). BJT NPN. BJT PNP. Simbologia dos transístores NPN e PNP. Sentido convencional das correntes e tensões nos BJT. Modos de operação dos transístores: ZAD (Zona Ativa Direta), ZS (Zona de Saturação), ZC (Zona de Corte), ZAI (Zona Ativa Inversa). Modelos do BJT para os diversos modos de operação. Efeito de Early. Curvas características do BJT, Configurações básicas de montagem do BJT e malhas de polarização. Determinação do modo de operação. Ponto de funcionamento em repouso (PFR). BJT como comutador. BJT como amplificador (E.C). Compensação do efeito de temperatura (Emissor Comum). Modelo do BJT para sinais pequenos nas médias frequências. Função dos condensadores de acoplamento e contorno (Emissor Comum). Projeto de malhas de polarização (Emissor Comum). 3. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal N. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal P. Curvas características do MOSFET. MOSFET de enriquecimento e de depleção. Simbologias mais usadas para os FET. Sentido convencional das correntes e tensões nos FET. Modos de operação dos transístores de efeito de campo. Modelos do MOSFET para os diversos modos de operação. Determinação do modo de operação. Reta de carga estática. Ponto de Funcionamento em Repouso. Malhas de Polarização. FET como comutador. Projeto de malhas de polarização. O MOSFET como amplificador. Modelo do MOSFET para sinais pequenos nas médias frequências. Breve referência ao Transístor de Efeito de Campo de Junção - JFET

Bibliografia Obrigatória

Robert Boylestad / Louis Nashelsky; Dispositivos Electrónicos e Teoria dos Circuitos, Prentice Hall. ISBN: ISBN: 85-216-1195-1
Manuel de Medeiros Silva; Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0840-2
Adel Sedra / Kenneth Smith; Adel Sedra / Kenneth Smith;Microelectronics Circuits, Oxford Univ Pr on Demand. ISBN: ISBN: 0-19-511690-9
Manuel de Medeiros Silva; Introdução aos circuitos eléctricos e electrónicos, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0696-5

Métodos de ensino e atividades de aprendizagem

Aulas Teórico- Práticas e aulas de Laboratório com simulação de circuitos e montagem e teste dos circuitos.

Software

Pspice ou Multisim

Palavras Chave

Ciências Tecnológicas > Engenharia > Engenharia electrónica

Tipo de avaliação

Avaliação distribuída sem exame final

Componentes de Avaliação

Designação Peso (%)
Teste 60,00
Trabalho laboratorial 40,00
Total: 100,00

Componentes de Ocupação

Designação Tempo (Horas)
Estudo autónomo 52,00
Frequência das aulas 30,00
Trabalho laboratorial 50,00
Trabalho escrito 30,00
Total: 162,00

Obtenção de frequência


A nota mínima em cada teste é de 8 valores.

O número minímo de relatórios a entregar são 3.

A nota final de trabalhos práticos será a média dos 3 melhores relatórios em 4.

Fórmula de cálculo da classificação final

NF = 60% * média dos testes + 40% * média dos trabalhos práticos
Recomendar Página Voltar ao Topo
Copyright 1996-2024 © Instituto Politécnico de Setúbal - Escola Superior de Tecnologia de Setúbal  I Termos e Condições  I Acessibilidade  I Índice A-Z
Página gerada em: 2024-04-25 às 07:15:19