Eletrónica
Áreas Científicas |
Classificação |
Área Científica |
CNAEF |
Eletrónica e automação |
Ocorrência: 2022/2023 - 2S
Ciclos de Estudo/Cursos
Sigla |
Nº de Estudantes |
Plano de Estudos |
Anos Curriculares |
Créditos UCN |
Créditos ECTS |
Horas de Contacto |
Horas Totais |
REID |
18 |
Plano de Estudos 2018/19 |
1 |
- |
6 |
60 |
162 |
Docência - Responsabilidades
Língua de trabalho
Português
Objetivos
- Descrever as características dos semicondutores.
- Distinguir semicondutores tipo P e tipo N.
- Caracterizar a junção PN.
- Efetuar cálculos para a polarização de díodos.
- Realizar montagens com díodos e proceder à análise dos circuitos.
- Caracterizar os diferentes tipos de circuitos usados na retificação.
- Descrever os díodos de Zener quanto à sua constituição, características e aplicações.
- Reconhecer a constituição, tipos e simbologia do transístor bipolar.
- Caracterizar o funcionamento do transístor bipolar.
- Identificar as montagens fundamentais: EC, BC, CC.
- Analisar as curvas características do transístor em EC.
- Analisar o amplificador para sinais em EC, BC e CC.
- Caracterizar a estrutura e o funcionamento dos vários tipos de FET
- Caracterizar a estrutura e o princípio de funcionamento do tirístor.
- Implementar circuitos com JFET, MOSFET
Resultados de aprendizagem e competências
Após esta UC o aluno fica apto projetar, montar e reparar circuitos com díodos e transistores.
Modo de trabalho
Presencial
Pré-requisitos (conhecimentos prévios) e co-requisitos (conhecimentos simultâneos)
Eletrotecnia
Programa
1. Díodo de Junção Conceito de Semicondutor. Semicondutor intrínseco e extrínseco. Junção PN. Junção PN não polarizada. Junção PN polarizada diretamente. Junção PN polarizada inversamente. Sentido convencional da tensão e corrente no díodo. Característica V-I do díodo. Simbologia do díodo. Modelo linear por troços, Modelo linear por troços simplificado, Modelo do díodo Ideal. Aplicações do díodo. Resistência dinâmica do díodo. Díodos especiais. 2. Transístor de Junção Bipolar (BJT) Transístor de junção bipolar (BJT). BJT NPN. BJT PNP. Simbologia dos transístores NPN e PNP. Sentido convencional das correntes e tensões nos BJT. Modos de operação dos transístores: ZAD (Zona Ativa Direta), ZS (Zona de Saturação), ZC (Zona de Corte), ZAI (Zona Ativa Inversa). Modelos do BJT para os diversos modos de operação. Efeito de Early. Curvas características do BJT, Configurações básicas de montagem do BJT e malhas de polarização. Determinação do modo de operação. Ponto de funcionamento em repouso (PFR). BJT como comutador. BJT como amplificador (E.C). Compensação do efeito de temperatura (Emissor Comum). Modelo do BJT para sinais pequenos nas médias frequências. Função dos condensadores de acoplamento e contorno (Emissor Comum). Projeto de malhas de polarização (Emissor Comum). 3. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal N. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal P. Curvas características do MOSFET. MOSFET de enriquecimento e de depleção. Simbologias mais usadas para os FET. Sentido convencional das correntes e tensões nos FET. Modos de operação dos transístores de efeito de campo. Modelos do MOSFET para os diversos modos de operação. Determinação do modo de operação. Reta de carga estática. Ponto de Funcionamento em Repouso. Malhas de Polarização. FET como comutador. Projeto de malhas de polarização. O MOSFET como amplificador. Modelo do MOSFET para sinais pequenos nas médias frequências. Breve referência ao Transístor de Efeito de Campo de Junção - JFET
Bibliografia Obrigatória
Robert Boylestad / Louis Nashelsky; Dispositivos Electrónicos e Teoria dos Circuitos, Prentice Hall. ISBN: ISBN: 85-216-1195-1
Manuel de Medeiros Silva; Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0840-2
Adel Sedra / Kenneth Smith; Adel Sedra / Kenneth Smith;Microelectronics Circuits, Oxford Univ Pr on Demand. ISBN: ISBN: 0-19-511690-9
Manuel de Medeiros Silva; Introdução aos circuitos eléctricos e electrónicos, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0696-5
Métodos de ensino e atividades de aprendizagem
Aulas Teórico- Práticas e aulas de Laboratório com simulação de circuitos e montagem e teste dos circuitos.
Software
Pspice ou Multisim
Palavras Chave
Ciências Tecnológicas > Engenharia > Engenharia electrónica
Tipo de avaliação
Avaliação distribuída sem exame final
Componentes de Avaliação
Designação |
Peso (%) |
Teste |
60,00 |
Trabalho laboratorial |
40,00 |
Total: |
100,00 |
Componentes de Ocupação
Designação |
Tempo (Horas) |
Estudo autónomo |
52,00 |
Frequência das aulas |
30,00 |
Trabalho laboratorial |
50,00 |
Trabalho escrito |
30,00 |
Total: |
162,00 |
Obtenção de frequência
A nota mínima em cada teste é de 8 valores.
O número minímo de relatórios a entregar são 3.
A nota final de trabalhos práticos será a média dos 3 melhores relatórios em 4.
A componente laboratorial é obrigatória sem a qual o aluno não obterá aprovação na UC.
Fórmula de cálculo da classificação final
NF = 60% * média dos testes + 40% * média dos trabalhos práticos