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Eletrónica

Código:

REID11

Sigla:

ELE

Áreas Científicas
Classificação	Área Científica
CNAEF	Eletrónica e automação

Ocorrência: 2023/2024 - 2S

Ativa?	Sim
Página Web:	https://moodle.ips.pt/2324/course/view.php?id=1538
Unidade Responsável:	Departamento de Engenharia Eletrotécnica
Curso/CE Responsável:	Curso Técnico Superior Profissional em Redes Elétricas Inteligentes e Domótica

Ciclos de Estudo/Cursos

Sigla	Nº de Estudantes	Plano de Estudos	Anos Curriculares	Créditos UCN	Créditos ECTS	Horas de Contacto	Horas Totais
REID	25	Plano de Estudos 2018/19	1	-	6	60	162

Língua de trabalho

Português

Objetivos

Este Unidade Curricular tem como objetivos fundamentais dotar os estudantes de conhecimentos sobre:

• Díodos de Junção
• Transístores de Junção Bipolar (BJT)
• Transístores de Efeito de Campo (MOSFET)

Resultados de aprendizagem e competências

No final desta Unidade Curricular, o estudante deve ser capaz de:

• Desenhar, dimensionar, simular e testar circuitos com Díodos de Junção


• Desenhar, dimensionar, simular e testar circuitos com Transístores de Junção Bipolar (BJT)


• Desenhar, dimensionar, simular e testar circuitos com Transístores de Efeito de Campo (MOSFET)

Modo de trabalho

Presencial

Pré-requisitos (conhecimentos prévios) e co-requisitos (conhecimentos simultâneos)

Conhecimentos sobre análise de circuitos elétricos

Programa

1. Díodos de Junção

• Semicondutor intrínseco e extrínseco


• Junção PN não polarizada e polarizada


• Símbolo, tensão e corrente no díodo


• Característica ID(VD) do díodo


• Modelo ideal e modelo linear por troços


• Díodo Zener


• Circuitos com díodos (retificadores e limitadores de tensão)

2. Transístores de Junção Bipolar (BJT)

• Simbologia, tensões e correntes nos transístores NPN e PNP


• Zona Ativa Direta, Zona de Saturação e Zona de Corte


• Modelos do BJT para os diversos modos de operação


• Curvas características do BJT


• Ponto de Funcionamento em Repouso (PFR)


• O BJT como interruptor e como amplificador

3. Transístores de Efeito de Campo (MOSFET)

• Transístor MOSFET canal N e canal P


• Curvas características do MOSFET


• Simbologia, tensões e correntes nos transístores MOSFET


• Modelos do MOSFET para os diversos modos de operação


• Ponto de Funcionamento em Repouso (PFR)


• O MOSFET como interruptor e como amplificador

Bibliografia Obrigatória

Thomas Floyd; Electronic Devices - Global Edition, Pearson, 10ª edição, 2018. ISBN: 978-1292222998

Métodos de ensino e atividades de aprendizagem

Aulas teórico-práticas com exposição da matéria e resolução de exercícios que visam a consolidação dos conhecimentos adquiridos.

Aulas de laboratório, onde são realizados trabalhos práticos que permitem uma experimentação das matérias lecionadas nas aulas teóricas. Os estudantes têm de elaborar relatórios das atividade práticas.

Palavras Chave

Ciências Tecnológicas > Engenharia > Engenharia electrotécnica

Tipo de avaliação

Avaliação distribuída sem exame final

Componentes de Avaliação

Designação	Peso (%)
Teste	60,00
Trabalho laboratorial	40,00
Total:	100,00

Componentes de Ocupação

Designação	Tempo (Horas)
Estudo autónomo	57,00
Frequência das aulas	30,00
Trabalho escrito	45,00
Trabalho laboratorial	30,00
Total:	162,00

Obtenção de frequência

A nota mínima no Exame Teórico ou na Média de 2 Testes é de 7 (sete) valores.

A nota mínima nos Relatórios de Atividades Práticas Laboratoriais é de 9.5 (nove ponto cinco) valores. A nota é calculada pela média das N-1 melhores notas de um universo de N trabalhos de laboratório.

A entrega dos Relatórios deve ser efetuada até à data definida no item de submissão do Moodle. O atraso na entrega dos relatórios implica uma penalização de 0,5 valores por dia.

Fórmula de cálculo da classificação final

A Nota Final será obtida com base na fórmula:

  Nota Final = 60 % Exame Teórico ou Média de 2 Testes +

                    40 %  Atividades Práticas Laboratoriais (APL)

A nota das Atividades Práticas Laboratoriais (APL) será obtida com base na fórmula:

  Nota APL =  50 %  Média dos Relatórios +

                    30 % Teste Prático  +

                    20 %  Desempenho no laboratório